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中国目前光刻机处于怎样的水平？

    我国的光刻机技术仍然处于低端水平，上海微电子的光刻机代表我国光刻机的最高水平，制程工艺为90nm，而ASML的光刻机已经进入5nm的制程工艺，我国的高端光刻机全部依靠进口。下文具体说一说。

    光刻机的技术门槛极高，可以说是集人类智慧大成的产物。

    ASML的光刻机超过90%的零件向外采购，整个设备采用了全世界上最先进的技术，是多个国家共同努力的结果，比如德国的光学设备和精密机械，美国的计量设备和光源设备。一台7nm EUV光刻机包含了5万多个零件，13个系统，需要把误差分散到这个13个子系统中，所以每个配件必须得非常精准。

    最关键的是生产光刻机所需的关键零件，对我国是禁运的，所以制约了我国光刻机技术的发展。

    目前，全球光刻机领域的龙头老大是荷兰的ASML，占领了80%的市场，日本的尼康和佳能已经被ASML完全击败。最先进的EUV光刻机，只有ASML能够生产。大家所使用的的手机的处理器、电脑的CPU，大部分是ASML的光刻机制造出来的。

    ASML的7nm EUV光刻机已经非常成熟，华为的麒麟980处理器、苹果的A12处理器、高通的骁龙855处理器均是有台积电代工使用ASML的7nm 光刻机生产的。据说，ASML已经开始生产5nm制程的光刻机。

如果荷兰AMSL的光刻机是一流标准，日本的东芝是二流水平，则中国的光刻机应当在世界三流向二流过渡的水平。因为目前已透露的信息显示14nm芯片制造需要的光刻机已在试制中，28nm的光刻机已制造完成………正在调整完善中。

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我国光刻机和荷兰差距巨大，现在荷兰asml光刻机已经可以生产7nm的芯片，而我国的光刻机刚刚实现90nm的芯片光刻机功能，差距太大。至少差了五代的产品。

生产我国光刻机，代表光刻机生产最高水平的是上海微电子的前道光刻机，目前可以生产90nm芯片，而正在研发65nm的芯片设计，这样的升级难度比从0到90nm低得多，所以预计很快就可以生产65nm和45nm的芯片了。

上海微电子的后道封装光刻机已经在销售和出口了，卖的还不错，这个领域全球市场占有率在40%，所以基础的实力还是有的。

对于光刻机来说，目前世界的老大是荷兰的ASML，而且基本处于垄断地位，高端市场只此一家，于是很大人就想当然的认为，光刻机技术含量太高，别人做不了，只有ASML能做，这种说法有一定的道理，但并非其他国家就做不了，主要没人去做高端市场还是因为没有市场的问题限制了！

ASML起源于荷兰菲利浦，这公司是家电大企业，曾经一条龙做终端产品、芯片、光刻机，一个完整的产业链。后来慢慢分工，结果芯片做没落了，光刻机却做到了巅峰。光刻机给人的映象就是一台上亿美元，这个看起来很牛，利润空间也很大。如此高利润，为何只有ASML一家独大，其他生产光刻机的企业包括佳能、尼康，中国的上海微电子等，怎么这些就只能涉及低端产业，就没能做出成绩来呢？

其实光刻机这个行业相当的苦，全世界做芯片的也就几十家企业，高端的也就那么几家，光刻机一年的市场也就几十亿美元，客户少，稍不留神没有接到订单或者客户被竞争企业抢走了，面临的很可能就是巨额亏损！ASML能够保持今天的垄断地位，主要还是这家公司采用了一种全新的商业模式，与客户进行了捆绑，英特尔、三星、台积电等都是这家公司的大股东，然后他们当然就买自家的产品了，于是像佳能、尼康等企业一看，高端市场已经没有任何市场了，做出来又卖给谁呢？也就只能放弃了，所以大家都完全放弃了高端光刻机市场，只做中底端。

所以说，光刻机问题是别人技术上做不了吗？未必，是对手没法做，市场已经被人垄断了，做了卖不出去，做了也白做！

但是今天中国面临一个严峻的问题，我们芯片被美国卡了脖子，我国也没有几家芯片封装企业，一下子搞得中兴连芯片都没有了，还闹了一段时间恐慌，虽然之后这样的的限制在我国企业付出很大代价后解除了，但发展自己的芯片产业成为一种必然，尤其是高端芯片！但如果有一天ASML不卖光刻机了呢？

一方面我们有自己的光刻机企业，但走的也是低端路线，实力不强，因为我国芯片本来就是大量进口，而现在我国企业和政府都大量的砸钱，希望在近些年尽快将芯片追上来，能够满足自给自足！而已中国的眼光，尤其是华为，他们不会看不到未来光刻机被卡脖子的一天？我相信这一天一定会来，因此我国恐怕现在已经开始砸钱，在发展芯片的同时，也希望用钱将光刻机一并砸出来，这是很有可能的。

光刻机的壁垒更多的其实不是技术，而是市场的需求，是商业模式的垄断，一旦舍得投入，我相信光刻机也不是难事！就像看20年我国所有的领域都落后，但今天一看，真要去做，基本都成了，甚至比西方做得更好，相信光刻机也是一样！

目前来看，我国自研的光刻机还依然处于制程工艺为90纳米的水准。

这个水准的光刻机，隶属于第四代步进扫描式光刻机，采用的是波长为193纳米的，深紫外光ArF光源，其制程工艺在135纳米-65纳米之间。

与浸没式光刻机相比差半代，与EUV光刻机相比差一代。

国内这型制程工艺在90纳米的光刻机，也就是由上海微电子生产的SSX-600/20型光刻机。

该光刻机采用了四倍缩小物镜，自适应调焦调平技术，六自由度工件台掩膜台技术，可以适应8寸或者12寸的晶圆。

也就是说，目前国内最先进的光刻机，也只能达到90纳米的制程工艺，不过经过多次曝光之后，估计制程工艺还会进一步缩小。

而国际上最先进的，制程工艺最低的，就是ASML集成的EUV光刻机。该光刻机的制程工艺已经达到了7纳米，采用了波长为13.5纳米的EUV光源；镀了近百层钼和硅制成薄膜的反射镜，而薄膜的粗糙度控制在零点几纳米级别；还有运动精度误差控制在1.8纳米的双工件台。以上只是EUV光刻机，最为重要的三大部件。而一整台EUV光刻机是由10万多个零部件，且还要经过工程师上百万次的调试，才可以交付使用。