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中国目前光刻机处于怎样的水平？

目前来看，我国自研的光刻机还依然处于制程工艺为90纳米的水准。

这个水准的光刻机，隶属于第四代步进扫描式光刻机，采用的是波长为193纳米的，深紫外光ArF光源，其制程工艺在135纳米-65纳米之间。

与浸没式光刻机相比差半代，与EUV光刻机相比差一代。

国内这型制程工艺在90纳米的光刻机，也就是由上海微电子生产的SSX-600/20型光刻机。

该光刻机采用了四倍缩小物镜，自适应调焦调平技术，六自由度工件台掩膜台技术，可以适应8寸或者12寸的晶圆。

也就是说，目前国内最先进的光刻机，也只能达到90纳米的制程工艺，不过经过多次曝光之后，估计制程工艺还会进一步缩小。

而国际上最先进的，制程工艺最低的，就是ASML集成的EUV光刻机。该光刻机的制程工艺已经达到了7纳米，采用了波长为13.5纳米的EUV光源；镀了近百层钼和硅制成薄膜的反射镜，而薄膜的粗糙度控制在零点几纳米级别；还有运动精度误差控制在1.8纳米的双工件台。以上只是EUV光刻机，最为重要的三大部件。而一整台EUV光刻机是由10万多个零部件，且还要经过工程师上百万次的调试，才可以交付使用。

日前（2020/05/14），全球芯片制造设备巨头阿斯麦（ASML)）公司与无锡高新区签署战略合作协议。原以为这是引领核心技术产业发展的一面旗帜？但只是一场美丽的误会，ASML只是在无锡升级光刻设备技术服务基地。

若设备进口不算，还停留在实验室阶段的也不算，实际上代表国产光刻机最高水平的目前还仍是上海微电子的90nm制程工艺。

那为什么会有人认为咱们光刻机已经进入了22nm时代？甚至说5nm工艺？

其实是误解。关于5nm的说法其实是刻蚀机技术，并非光刻机。早在2018年的时候，中微半导体就宣布掌握了5nm刻蚀机技术，还通过了台积电5nm工艺校验。

但是，光刻机国产化进程显然要比刻蚀机要缓慢太多！22nm时代至多是踏入了半只脚。

2018年11月，中科院光电所经过7年研发，成功验收了“超分辨光刻装备项目”。据悉，这是世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，能够实现22nm光刻工艺。

4月份上海微电子也宣布实现了22nm光刻机的研发突破。但就没有透露其它的细节信息。这样也只能是用“停留”在试验室来定论了，毕竟目前看来光刻机22nm节点离商业化落地还较远，短时间内无法迅速落地并进行生产。

光刻机是生产制造芯片的关键设备，是利用光刻机发出的紫外光源通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的硅片曝光，使光刻胶性质变化、达到图形刻印在硅片上形成电子线路图。

一、我国在光刻机制造行业里的位置。

光刻是最重要的制造芯片工艺技术;光源是光刻机的核心、光刻机首先取决于光源的波长;镜头是核心部分。这三者技术先进程度、直接影响到芯片工艺和芯片性能。而这正是我国在光刻机制造技术上的弱项。

世界目前光刻机生产水平可分三个梯队，第一梯队：美国英特尔、荷兰的ASML、第二梯队：台积电、三星、日本的尼康、佳能。

虽然中国目前高端芯片并不落后，但在性能和成本结合上没能跟上高端芯片商业量产需要。所以，在高端光刻机生产制造上，以0.7nm为一个级数、从技术工艺和市场份额上看，我国堪称是第三梯队水平。

二、我国光刻机发展起步较早，基础并不薄弱。

我国1958年中科院拉出了第一根硅单晶、即今天的硅晶圆，1965年中国研制出了65型接触式光刻机，1977年GK一3半自动光刻机诞生，1980年清华大学研制出第四代分布式投影光刻机、精度达到了3微米、已接近国际主流水平，仅次于美国。

本来我们可以和ASML在EUV光刻机技术上一争雄长，但现在落伍并被拉开了距离，原因多种、但路径选择上重视不够肯定是重大因素。

如：出身于中科院计算机所的柳传志应说离光刻机和芯片最近，1984年联想成立后却最后选择了贸工技路线，最后成了PC生产者和供应商。而台积电的张忠谋虽是机械系出身，看准了半导体优势，开创了半导体代工行业、做成了行业翘楚之一。

三、我国光刻机现状。